Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т839А/ИМ

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор 2Т839А/ИМ предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.

Основное назначение транзистора – использование в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах и других схемах аппаратуры специального назначения. Значение собственной резонансной частоты элементов конструкции транзистора 10,3 кГц. Допустимое значение статического потенциала 2 000 В. 95-процентный ресурс транзистора Т в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 50 000 ч. 95-процентный ресурс транзистора Т в облегченных режимах и условиях – 100 000 ч. Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура припоя не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзистора при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С.

Особенности

• Категория качества ВП.
• Напряжение коллектор-база 1500 В.
• Ток коллектора 10 А.
• Мощность коллектора 65 Вт.

Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.254 ТУ. Корпусное исполнение - металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).

Конструктивные требования

• Масса транзистора не более 20 г.
• Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10-4 л·мкм рт.ст/с.
• Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
• Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.